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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | TO-63, 3 PIN |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.77 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 50 A | 集电极-发射极最大电压： | 100 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 25 |
| JEDEC-95代码： | TO-63 | JESD-30 代码： | O-MUPM-X3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N6061 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-63, Metal, |
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| 2N6061E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-63, Metal, |
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| 2N6062 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 60A I(C) | TO-210AE |
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| 2N6063 | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 60A I(C) | TO-210AE |
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| 2N6063E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, |
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| 2N6067 | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
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