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2N6067

更新时间: 2024-02-24 12:13:53
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
36页 1455K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92

2N6067 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):0.1 A
基于收集器的最大容量:16 pF集电极-发射极最大电压:40 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):50
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-W3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):0.625 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):150 MHzBase Number Matches:1

2N6067 数据手册

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