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2N6059LEADFREE

更新时间： 2024-09-23 15:25:03
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 489K
描述
Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN

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2N6059LEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-204AA
包装说明：TO-3, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.06
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：12 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：750JEDEC-95代码：TO-3
JESD-30 代码：O-MBFM-P2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN (315)
端子形式：PIN/PEG端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：4 MHzBase Number Matches：1

2N6059LEADFREE 数据手册

 浏览型号2N6059LEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
2N6050 2N6051 2N6052  
2N6057 2N6058 2N6059  
PNP  
NPN  
www.centralsemi.com  
COMPLEMENTARY SILICON  
DARLINGTON POWER  
TRANSISTORS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6050, 2N6057  
series types are complementary silicon Darlington  
power transistors, manufactured by the epitaxial base  
process, designed for high gain amplifier and switching  
applications.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
TO-3 CASE  
2N6050  
2N6057  
60  
2N6051  
2N6058  
80  
80  
5.0  
12  
20  
0.2  
150  
2N6052  
2N6059  
100  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
Continuous Base Current  
Power Dissipation  
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
SYMBOL  
UNITS  
V
V
V
A
A
A
W
°C  
°C/W  
C
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
60  
100  
I
C
I
CM  
I
P
B
D
T , T  
-65 to +200  
1.17  
J
stg  
JC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
I
I
I
V
V
V
V
=Rated V  
=Rated V  
=½Rated V  
=5.0V  
, V =1.5V  
0.5  
mA  
CEV  
CEV  
CEO  
EBO  
CE  
CE  
CE  
EB  
CEO EB  
, V =1.5V, T =150°C  
CEO EB  
5.0  
1.0  
2.0  
mA  
mA  
mA  
V
C
CEO  
BV  
BV  
BV  
I =100mA, (2N6050, 2N6057)  
60  
80  
CEO  
CEO  
C
I =100mA, (2N6051, 2N6058)  
V
C
I =100mA, (2N6052, 2N6059)  
100  
V
CEO  
C
V
V
V
V
I =6.0A, I =24mA  
2.0  
3.0  
4.0  
2.8  
18K  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
C
B
I =12A, I =120mA  
V
C
B
I =12A, I =120mA  
V
C
B
V
=3.0V, I =6.0A  
V
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
CB  
C
h
h
h
V
V
V
V
V
V
=3.0V, I =6.0A  
750  
100  
300  
4.0  
C
=3.0V, I =12A  
FE  
C
=3.0V, I =5.0A, f=1.0kHz  
fe  
C
f
=3.0V, I =5.0A, f=1.0MHz  
MHz  
pF  
T
C
C
=10V, I =0, f=100kHz (PNP types)  
500  
300  
ob  
ob  
E
C
=10V, I =0, f=100kHz (NPN types)  
pF  
E
R1 (18-September 2012)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N6060 MICROSEMI

获取价格

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2N6060E3 MICROSEMI

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 		Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal,
2N6061 MICROSEMI

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 		Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-63, Metal,
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