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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.65 | 最大集电极电流 (IC)： | 25 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 200 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 标称过渡频率 (fT)： | 40 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6339ACECC | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 25A I(C) | TO-204AA |
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| 2N6339X | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 |
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| 2N634 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 300MA I(C) | TO-9 |
|
| 2N6340 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N6340 | NJSEMI |
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25 AMPERE POWER TRANSISTORS |
|
| 2N6340 | ISC |
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isc Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2N6340 | ONSEMI |
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POWER TRANSISTORS NPN SILICON |
|
| 2N6340 | MOSPEC |
获取价格 |
POWER TRANSISTOR(25A,200W) |
|
| 2N6340 | BOCA |
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HIGH-POWER NPN SILICON TRANSISTORS |
|
| 2N6340 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 |
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