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2N6340

更新时间： 2024-02-14 21:09:23

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SAVANTIC		晶体晶体管
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3页	115K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N6340 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.77
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	25 A	集电极-发射极最大电压：	140 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JEDEC-95代码：	TO-204AA	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	40 MHz
Base Number Matches：	1

2N6340 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors 2N6338 2N6339 2N6340 2N6341

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Fast switching times

·Low collector saturation voltage

·Complement to type 2N6436~38

APPLICATIONS

·For use in industrial-military power amplifier

and switching circuit applications

PINNING(see Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Collector

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=ꢀ )

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

120

140

160

180

100

120

140

150

UNIT

2N6338

2N6339

2N6340

2N6341

2N6338

2N6339

2N6340

2N6341

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

Open base

V_CEO

Collector-emitter voltage

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

ꢀ

I_CM

I_BC

P_D

T_j

Collector current-peak

Base current

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25ꢀ

200

-65~200

T_stg

ꢀ

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance junction to case

0.875

ꢀ/W

12 3

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