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2N6340

更新时间： 2024-02-10 22:44:49

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	49K
描述
isc Silicon NPN Power Transistors

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2N6340 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.77
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	25 A	集电极-发射极最大电压：	140 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JEDEC-95代码：	TO-204AA	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	40 MHz
Base Number Matches：	1

2N6340 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistors

2N6338/6339/6340/6341

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= 100V(Min)- 2N6338

= 120V(Min)- 2N6339

= 140V(Min)- 2N6340

= 160V(Min)- 2N6341

·High Switching Speed

·Low Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= 1.0V(Max)@ I_C= 10A

APPLICATIONS

·Designed for use in industrial-military power amplifier and

switching circuit applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

120

140

160

180

100

120

140

150

UNIT

2N6338

2N6339

2N6340

2N6341

2N6338

2N6339

2N6340

2N6341

V_CBO

Collector-Base Voltage

V_CEO

Collector-Emitter Voltage

V_EBO

I_C

I_CM

I_B

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Continuous

P_C

T_J

Collector Power Dissipation @T_C=25℃

Junction Temperature

200

-65~200

℃

Storage Temperature

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

0.875

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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