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2N6339

更新时间： 2024-02-12 17:33:41

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	43K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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技术参数
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2N6339 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-3
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.22	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	25 A
集电极-发射极最大电压：	120 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JEDEC-95代码：	TO-204AA
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	20 MHz	Base Number Matches：	1

2N6339 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors 2N6338 2N6339 2N6340 2N6341

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·High DC current gain

·Fast switching times

·Low collector saturation voltage

·Complement to type 2N6436~38

APPLICATIONS

·For use in industrial-military power amplifier

and switching circuit applications

PINNING(see Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

120

140

160

180

100

120

140

150

UNIT

2N6338

2N6339

2N6340

2N6341

2N6338

2N6339

2N6340

2N6341

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

Open base

V_CEO

Collector-emitter voltage

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

I_CM

I_BC

P_D

T_j

Collector current-peak

Base current

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

200

-65~200

℃

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

Thermal resistance junction to case

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

0.875

℃/W

12 3

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与2N6339相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N6339ACECC	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 120V V(BR)CEO \| 25A I(C) \| TO-204AA	获取价格
2N6339X	SEME-LAB	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3	获取价格
2N634	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 15V V(BR)CEO \| 300MA I(C) \| TO-9	获取价格
2N6340	JMNIC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
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