Datasheet > 2N6339

2N6339

更新时间： 2024-02-08 00:24:27

品牌	Logo	应用领域
锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	43K
描述
Silicon NPN Power Transistors

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N6339 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-3
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.22	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	25 A
集电极-发射极最大电压：	120 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JEDEC-95代码：	TO-204AA
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	20 MHz	Base Number Matches：	1

2N6339 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors 2N6338 2N6339 2N6340 2N6341

CHARACTERISTICS

Tj=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

100

120

140

150

TYP.

MAX

UNIT

2N6338

2N6339

2N6340

2N6341

Collector-emitter

sustaining voltage

V_(SUS)CEO

I_C=50mA ;I_B=0

V_CEsat-1

V_CEsat-2

V_{BE sat-1}

V_{BE sat-2}

V_BE

Collector-emitter saturation voltage I_C=10A; I_B=1.0A

Collector-emitter saturation voltage I_C=25A; I_B=2.5A

1.0

1.8

2.5

1.8

Base-emitter saturation voltage

Base-emitter on voltage

I_C=10A; I_B=1.0A

I_C=25A; I_B=2.5A

I_C=10A ; V_CE=2V

V_CE=Rated V_CEO; V_EB=-1.5V

T_C=150℃

1.0

μA

I_CEX

Collector cut-off current

I_CBO

Collector cut-off current

V_CB=Rated V_CB; I_E=0

V_CE= 50V,I_B=0

μA

2N6338

2N6339

2N6340

2N6341

V_CE= 60V,I_B=0

Collector

cut-off current

I_CEO

V_CE= 70V,I_B=0

V_CE= 75V,I_B=0

I_EBO

h_FE-1

h_FE-2

h_FE-3

C_OB

f_T

Emitter cut-off current

DC current gain

V_EB=6V; I_C=0

100

120

300

I_C=0.5A ; V_CE=2V

I_C=10A ; V_CE=2V

I_C=25A ; V_CE=2V

I_E=0 ; V_CB=10V;f=1MHz

I_C=1A ; V_CE=10V;f=10MHz

DC current gain

Output capacitance

Transition frequency

MHz

123

下载PDF

与2N6339相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N6339ACECC	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 120V V(BR)CEO \| 25A I(C) \| TO-204AA	获取价格
2N6339X	SEME-LAB	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3	获取价格
2N634	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 15V V(BR)CEO \| 300MA I(C) \| TO-9	获取价格
2N6340	JMNIC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
2N6340	NJSEMI	25 AMPERE POWER TRANSISTORS	获取价格
2N6340	ISC	isc Silicon NPN Power Transistors	获取价格