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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5572 | MOTOROLA |
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SILICON BIDIRECTIOANAL TRIODE THYRISTORS |
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| 2N5572 | NJSEMI |
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TRIACS SILICON BIDIRECTIONAL TRIODE THYRISTORS |
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| 2N5573 | NJSEMI |
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TRIAC, V(DRM) = 200V TO 299.9V |
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| 2N5573 | MOTOROLA |
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SILICON BIDIRECTIOANAL TRIODE THYRISTORS |
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| 2N5574 | MOTOROLA |
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SILICON BIDIRECTIOANAL TRIODE THYRISTORS |
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| 2N5574 | NJSEMI |
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5-A SILICON TRIAC |
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| 2N5575 | NJSEMI |
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SI NPN POWER BJT, I(C) |
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| 2N5575 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
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| 2N5575 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 80A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| 2N5578 | NJSEMI |
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SI NPN POWER BJT, I(C) |
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