是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | PRESS FIT, O-MUPF-D2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | unknown | HTS代码: | 8541.30.00.80 |
风险等级: | 5.92 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | MAIN TERMINAL 2 | 配置: | SINGLE |
换向电压的临界上升率-最小值: | 2 V/us | 关态电压最小值的临界上升速率: | 20 V/us |
最大直流栅极触发电流: | 50 mA | 最大直流栅极触发电压: | 2.5 V |
最大维持电流: | 75 mA | JESD-30 代码: | O-MUPF-D2 |
JESD-609代码: | e0 | 最大漏电流: | 2 mA |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最大通态电压: | 1.8 V | 最高工作温度: | 100 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | PRESS FIT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
最大均方根通态电流: | 15 A | 重复峰值关态漏电流最大值: | 10 µA |
断态重复峰值电压: | 400 V | 子类别: | TRIACs |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | SOLDER LUG | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 触发设备类型: | TRIAC |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N5573 | NJSEMI |
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TRIAC, V(DRM) = 200V TO 299.9V | |
2N5573 | MOTOROLA |
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SILICON BIDIRECTIOANAL TRIODE THYRISTORS | |
2N5574 | MOTOROLA |
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SILICON BIDIRECTIOANAL TRIODE THYRISTORS | |
2N5574 | NJSEMI |
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5-A SILICON TRIAC | |
2N5575 | NJSEMI |
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SI NPN POWER BJT, I(C) | |
2N5575 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package | |
2N5575 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 80A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 | |
2N5578 | NJSEMI |
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SI NPN POWER BJT, I(C) | |
2N5578 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 60A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 | |
2N5581 | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Transistors |