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2N5407

更新时间： 2024-02-23 11:10:49

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SEME-LAB		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	17K
描述
SMALL SIGNAL PNP TRANSISTORS IN TO-5

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2N5407 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BCY
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.35	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JEDEC-95代码：	TO-205AD
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	40 MHz	Base Number Matches：	1

2N5407 数据手册

2N5404

2N5405

2N5406

2N5407

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm

SMALL SIGNAL

PNP TRANSISTORS

IN TO-5

8.89 (0.35)

9.40 (0.37)

7.75 (0.305)

8.51 (0.335)

4.19 (0.165)

4.95 (0.195)

0.89

(0.035)

max.

38.1

(1.500)

min.

APPLICATIONS

7.75 (0.305)

8.51 (0.335)

dia.

Small signal PNP transistors for relay

switching resistor logic circuits and

general purpose applications.

5.08 (0.200)

typ.

2.54

(0.100)

0.66 (0.026)

1.14 (0.045)

0.71 (0.028)

0.86 (0.034)

TO-5

Pin1 - Emitter

Pin2 - Base

Pin3 - Collector

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

= 25°C unless otherwise stated)

case

2N5404 2N5405 2N5406 2N5407

Collector – Base Breakdown Voltage

Collector – Emitter Breakdown Voltage

Emitter – Base Breakdown Voltage

Collector Current

– 80V

– 6V

– 5A

– 2A

– 100V

–6V

– 80V

– 6V

– 5A

– 2A

– 100V

–6V

CBO

CEO

EBO

-5A

C(Max)

Base Current

– 2A

B(Max)

Total Power Dissipation (100°C Case)

Operating and Storage Temperature

Range

TOT

, T

STG

– 65°C to +200°C

Semelab plc. Telephone +44(0)1455) 556565. Fax +44(0)1455) 552612. e-mail sales@semelab.co.uk

Prelim.8/98

Website http://www.semelab.co.uk

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与2N5407相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N5407L	ETC	获取价格	PNP
2N5407X	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 100V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-39
2N5408	APITECH	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-111, Metal, 4
2N5409	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 100V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-111
2N540A	NJSEMI	获取价格	PNP GERMANIUM ALLOY JUNCTION POWER TRANSISTOR
2N541	NJSEMI	获取价格	TRANSITRON
2N5410	APITECH	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-111, Metal, 4
2N5411	APITECH	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-111, Metal,
2N5412	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, 3
2N5412E3	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, 3