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2N2222

更新时间： 2024-11-18 06:17:27

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COMSET		晶体晶体管开关局域网
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3页	153K
描述
SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

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2N2222 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.55	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	100
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
Base Number Matches：	1

2N2222 数据手册

PNP 2N2907 – 2N2907A

NPN 2N2222 – 2N2222A

SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

The 2N2907 and 2N2907aA are PNP transistors mounted in TO-18 metal package with the collector

connected to the case .

They are primarily intended for high speed switching.

NPN complements are 2N2222 and 2N2222A .

Compliance to RoHS

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Ratings

Value

Unit

2N2907A

2N2907

2N2907A

2N2907

-60

-40

-60

-5

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

V_CEO

V_CBO

2N2907A

Emitter-Base Voltage

Collector Current

V_EBO

I_C

2N2907

2N2907A

2N2907

2N2907A

2N2907

2N2907A

2N2907

-5

-600

0.4

Total Power Dissipation

Junction Temperature

@ T_amb= 25°

@ T_case= 25°

P_D

T_J

Watts

°C

1.8

2N2907A

200

2N2907

2N2907A

2N2907

Storage Temperature range

T_Stg

-65 to +200

°C

(1) Applicable up to I_C= 500mA

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol

Ratings

Value

Unit

Thermal Resistance, Junction to ambient in

free air

2N2907A

2N2907

2N2907A

2N2907

R_thJ-a

R_thJ-c

350

K/W

Thermal Resistance, Junction to case

146

K/W

COMSET SEMICONDUCTORS

1/3

12 3

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