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2N2222A

更新时间： 2024-01-15 00:38:12
品牌 Logo 应用领域
SECOS 晶体晶体管开关PC
页数 文件大小 规格书
3页 1397K
描述
NPN Plastic Encapsulated Transistor

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2N2222A 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-CDSO-N6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.61最大集电极电流 (IC)：0.8 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：100JEDEC-95代码：MO-041BB
JESD-30 代码：R-CDSO-N6元件数量：2
端子数量：6封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzBase Number Matches：1

2N2222A 数据手册

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2N2222A  
NPN Plastic Encapsulated Transistor  
Elektronische Bauelemente  
RoHS Compliant Product  
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free  
FEATURE  
TO-92  
Complementary PNP type available 2N2907A  
G
H
1Emitter  
2Base  
3Collector  
Collector  
J
3
A
D
B
2
Base  
Millimeter  
REF.  
PACKAGING INFORMATION  
Min.  
Max.  
4.70  
4.70  
-
K
A
B
C
D
E
F
4.40  
4.30  
12.70  
3.30  
0.36  
0.36  
Weight: 0.2056 g  
1
Emitter  
3.81  
0.56  
0.51  
E
C
F
G
H
J
1.27 TYP.  
1.10  
2.42  
0.36  
-
2.66  
0.76  
K
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (at TA = 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
Ratings  
Unit  
V
Collector to Base Voltage  
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
75  
VCEO  
40  
V
VEBO  
6
600  
V
Collector Current – Continuous  
Collector Power Dissipation  
Junction, Storage Temperature  
IC  
mA  
mW  
℃
PC  
625  
TJ, TSTG  
+150, -55 ~ +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at TA = 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Min.  
Typ.  
Max.  
-
Unit  
V
Test Conditions  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
75  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
IC = 10uA, IE = 0  
40  
-
V
IC = 10mA, IB = 0  
6
-
V
IE = 10uA, IC = 0  
-
10  
10  
100  
300  
-
nA  
nA  
nA  
VCB = 60V, IE = 0  
Collector Cut-off Current  
ICEX  
-
VCE = 60V, VEB(Off) = 3V  
VEB = 3V, IC = 0  
Emitter Cut-off Current  
IEBO  
-
hFE(1)  
100  
VCE = 10V, IC = 150mA  
VCE = 10V, IC = 0.1mA  
VCE = 10V, IC = 500mA  
IC = 500mA, IB = 50mA  
IC = 150mA, IB = 15mA  
IC = 500mA, IB = 50mA  
DC Current Gain  
hFE(2)  
40  
hFE(3)*  
VCE(sat)(1) *  
VCE(sat)(2) *  
VBE(sat) *  
td  
42  
-
-
0.6  
0.3  
1.2  
10  
25  
225  
60  
-
V
V
Collector-Emitter Saturation Voltage  
-
Base-Emitter Saturation Voltage  
Delay Time  
-
V
-
nS  
nS  
nS  
nS  
VCC = 30V, VEB(Off) = -0.5V, IC = 150mA,  
B1 = 15mA  
I
Rise Time  
tr  
-
Storage Time  
ts  
-
-
VCC = 30V, Ic = 150mA,  
B1 = IB2 = 15mA  
I
Fall Time  
tf  
Transition Frequency  
fT  
300  
MHz VCE = 20V, IC = 20mA, f = 100MHz  
* Pulse Test  
CLASSIFICATION OF hFE(1)  
Rank  
L
H
Range  
100 - 200  
200 - 300  
01-June-2005 Rev. B  
Page 1 of 3  
123

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