5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | BCY |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 1.28 |
| Samacsys Confidence： | 4 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 2067344 | Samacsys Pin Count： | 3 |
| Samacsys Part Category： | Transistor BJT NPN | Samacsys Package Category： | Other |
| Samacsys Footprint Name： | TO-18 (TO-206AA) | Samacsys Released Date： | 2019-12-13 10:08:09 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.8 A | 基于收集器的最大容量： | 8 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JEDEC-95代码： | TO-206AA |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 1.8 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 300 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 35 ns | VCEsat-Max： | 1 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JANS2N2222A | MICROSEMI |
完全替代  |
NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/255 |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N2222A/TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-206A |
|
| 2N2222A_02 | SEMICOA |
获取价格 |
Silicon NPN Transistor |
|
| 2N2222A_09 | SEME-LAB |
获取价格 |
HIGH SPEED MEDIUM POWER, NPN SWITCHING TRANSISTOR |
|
| 2N2222AB | MICROSEMI |
获取价格 |
SWITCHING TRANSISTOR NPN SILICON |
|
| 2N2222A-B | MCC |
获取价格 |
Transistor |
|
| 2N2222AB-# | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, DIE PAC |
|
| 2N2222AB-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
SWITCHING TRANSISTOR NPN SILICON |
|
| 2N2222ABC | MICROSEMI |
获取价格 |
SWITCHING TRANSISTOR NPN SILICON |
|
| 2N2222ABC-# | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, DIE PAC |
|
| 2N2222ABC-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
SWITCHING TRANSISTOR NPN SILICON |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
