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2N2222A

更新时间： 2024-02-06 16:06:41

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SEME-LAB		晶体开关晶体管 PC
页数	文件大小	规格书
2页	18K
描述
HIGH SPEED MEDIUM POWER, NPN SWITCHING TRANSISTOR

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技术参数
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2N2222A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.61	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	MO-041BB
JESD-30 代码：	R-CDSO-N6	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz	Base Number Matches：	1

2N2222A 数据手册

2N2222A

S E M E

LA B

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm (inches)

HIGH SPEED

5.84 (0.230)

5.31 (0.209)

MEDIUM POWER, NPN

4.95 (0.195)

4.52 (0.178)

SWITCHING TRANSISTOR

FEATURES

• SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN

TRANSISTOR

0.48 (0.019)

0.41 (0.016)

dia.

• HIGH SPEED SATURATED SWITCHING

• ALSO AVAILABLE IN CERAMIC SURFACE

MOUNT PACKAGE

2.54 (0.100)

Nom.

TO–18 METAL PACKAGE

Underside View

PIN 1 – Emitter

PIN 2 – Base

PIN 3 – Collector

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)

Collector – Base Voltage

Collector – Emitter Voltage

Emitter – Base Voltage

Collector Current

75V

40V

CBO

CEO

EBO

800mA

Total Device Dissipation

Derate above 25°C

@ T = 25°C

0.5mW

2.28mW / °C

1.2W

Total Device Dissipation

Derate above 25°C

@ T = 25°C

6.85mW / °C

–65 to +200°C

T , T

Operating and Storage Junction Temperature Range

STG

Prelim. 3/96

Semelab plc. Telephone (01455) 556565. Telex: 341927. Fax (01455) 552612.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N2222A/TR	MICROSEMI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-206A	获取价格
2N2222A_02	SEMICOA	Silicon NPN Transistor	获取价格
2N2222A_09	SEME-LAB	HIGH SPEED MEDIUM POWER, NPN SWITCHING TRANSISTOR	获取价格
2N2222AB	MICROSEMI	SWITCHING TRANSISTOR NPN SILICON	获取价格
2N2222A-B	MCC	Transistor	获取价格
2N2222AB-#	MICROSEMI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, DIE PAC	获取价格