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2N2222A

更新时间： 2024-01-13 12:19:43

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SEMICOA		晶体晶体管开关 PC
页数	文件大小	规格书
2页	47K
描述
Type 2N2222A Geometry 0400 Polarity NPN

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2N2222A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.61	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	MO-041BB
JESD-30 代码：	R-CDSO-N6	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz	Base Number Matches：	1

2N2222A 数据手册

Data Sheet No. 2N2222A

Ge ne ric Pa rt Numbe r:

2N2222A

Type 2N2222A

Geometry 0400

Polarity NPN

Qual Level: JAN - JANS

REF: MIL-PRF-19500/255

Features:

General-purpose transistor for

switching and amplifier applica-

tons.

Housed in TO-18 case.

Also available in chip form using

the 0400 chip geometry.

The Min and Max limits shown are

per MIL-PRF-19500/255 which

Semicoa meets in all cases.

The Typ values are actual batch

averages for Semicoa.

TO-18

Radiation Graphs available.

Maximum Ratings

T_C= 25^oC unless otherwise specified

Rating

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Rating

Unit

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current, Continuous

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

6.0

800

^oC

T_J

-65 to +200

^oC

T_STG

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与2N2222A相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N2222A/TR	MICROSEMI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-206A	获取价格
2N2222A_02	SEMICOA	Silicon NPN Transistor	获取价格
2N2222A_09	SEME-LAB	HIGH SPEED MEDIUM POWER, NPN SWITCHING TRANSISTOR	获取价格
2N2222AB	MICROSEMI	SWITCHING TRANSISTOR NPN SILICON	获取价格
2N2222A-B	MCC	Transistor	获取价格
2N2222AB-#	MICROSEMI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, DIE PAC	获取价格