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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOD |
| 包装说明： | R-PDSO-G2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.60 | 风险等级： | 5.23 |
| 最小击穿电压： | 30 V | 配置： | SINGLE |
| 最大二极管电容： | 1.2 pF | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | MIXER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 0.85 V |
| 频带： | VERY HIGH FREQUENCY | JESD-30 代码： | R-PDSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最大输出电流： | 100 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 30 V |
| 最大反向电流： | 0.1 µA | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 1SS356 | PANJIT |
功能相似  |
SURFACE MOUNT PIN DIODE |
|
| 1SS356 | ROHM |
功能相似 |
Band switching diode |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1SS314(TPH3,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
RECTIFIER DIODE,30V V(RRM),UMD2VAR |
|
| 1SS314_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
VHF Tuner Band Switch Applications |
|
| 1SS314TPH2 | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE, Microwave Mixer Diode |
|
| 1SS314TPH3 | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE, Microwave Mixer Diode |
|
| 1SS314TPHR4 | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE, Microwave Mixer Diode |
|
| 1SS314WT | SEMTECH |
获取价格 |
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE |
|
| 1SS314WT | SWST |
获取价格 |
波段开关管 |
|
| 1SS315 | TYSEMI |
获取价格 |
Maximum (Peak) Reverse Voltage VRM 5 V Forward Current IF 30 mA |
|
| 1SS315 | KEXIN |
获取价格 |
UHF BAND MIXER APPLICATIONS |
|
| 1SS315 | SEMTECH |
获取价格 |
SILICON EPITAXIAL SCHOTTKY BARRIER DIODE |
|
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