1SS356

更新时间： 2024-09-12 22:37:47

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罗姆 - ROHM		微波混频二极管开关光电二极管
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2页	54K
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Band switching diode

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1SS356 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	SC-90A
包装说明：	R-PDSO-F2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.60	风险等级：	5.15
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
最小击穿电压：	35 V	配置：	SINGLE
最大二极管电容：	1.2 pF	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	MIXER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
频带：	VERY HIGH FREQUENCY	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最大输出电流：	100 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	35 V	最大反向电流：	0.01 µA
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

1SS356 数据手册

1SS356

Diodes

Band switching diode

1SS356

!Applications

!External dimensions (Units : mm)

High frequency switching

CATHODE MARK

!Features

1) Small surface mounting type. (UMD2)

2) High reliability.

!Construction

Silicon epitaxial planar

+0.1

0.1

−0.05

0.3 0.05

+0.2

−0.1

0.7

1.25 0.1

ROHM : UMD2

EIAJ : SC - 76

JEDEC : SOD - 323

!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

DC reverse voltage

DC forward current

Junction temperature

Storage temperature

Symbol

Limits

Unit

100

125

°C

Tstg

−55~

+125

°C

!Electrical characteristics (Ta=25°C)

Parameter

Forward voltage

Symbol

Min.

Typ.

Max.

1.0

Unit

Conditions

−

Ω

I =10mA

Reverse current

=25V

=6V, f=1MHz

Capacitance between terminals

Forward operating resistance

1.2

0.9

I =2mA, f=100MHz

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1SS356 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
1SS314	TOSHIBA	功能相似	DIODE (VHF TUNER BAND SWITCH APPLICATIONS)

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1SS356R-12K	PANJIT	获取价格	SURFACE MOUNT PIN DIODE
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