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1SS319TE85R

更新时间： 2024-11-11 15:44:07
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 186K
描述
DIODE 0.1 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

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1SS319TE85R 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.69
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.6 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G4元件数量：2
相数：1端子数量：4
最高工作温度：125 °C最大输出电流：0.1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大功率耗散：0.225 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：45 V
最大反向电流：5 µA反向测试电压：40 V
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

1SS319TE85R 数据手册

 浏览型号1SS319TE85R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1SS319TE85R的Datasheet PDF文件第3页 
1SS319  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type  
1SS319  
Low Voltage High Speed Switching  
Unit: mm  
z Low forward voltage  
z Low reverse current  
z Small package  
: V (3) = 0.54V (typ.)  
F
: I = 5μA (max)  
R
: SC-61  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Maximum (peak) reverse voltage  
Reverse voltage  
V
45  
40  
V
V
RM  
V
R
Maximum (peak) forward current  
Average forward current  
Power dissipation  
I
300 (*)  
100 (*)  
150 (*)  
125  
mA  
mA  
mW  
°C  
FM  
I
O
P
Junction temperature  
T
j
Storage temperature  
T
stg  
−55∼125  
°C  
JEDEC  
―
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating  
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings.  
JEITA  
SC−61  
2−3J1A  
TOSHIBA  
Weight: 0.013g (typ.)  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
(*) Unit rating. Total rating = unit rating × 1.5.  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Test  
Circuit  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
= 1mA  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
I
I
I
0.28  
0.36  
0.54  
―
―
―
―
―
―
―
F (1)  
F
F
F
Forward voltage  
V
= 10mA  
―
F (2)  
V
= 100mA  
0.60  
―
F (3)  
Reverse current  
I
V
V
= 40V  
R
―
5
―
―
R
μA  
Total capacitance  
C
T
= 0, f = 1MHz  
18  
25  
―
R
pF  
Marking  
1
2007-11-01  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1SS321 TYSEMI

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 		Low forward voltage: VF = 0.42 V(Typ) Low reverse current: IR =500 nA(Max)
1SS321 KEXIN

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 		LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING
1SS321 SEMTECH

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 		SILICON EPITAXIAL SCHOTTKY BARRIER DIODE
1SS321 TOSHIBA

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 		DIODE (LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING)
1SS321 SWST

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