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| 生命周期： | Transferred | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.72 | 应用： | GENERAL PURPOSE |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.6 V | JESD-30 代码： | O-LELF-R2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 5 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大反向电流： | 200 µA |
| 表面贴装： | YES | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WRAP AROUND |
| 端子位置： | END | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N6701 | CDI-DIODE |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, Silicon, |
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| 1N6701 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, Silicon, |
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| 1N6701US | CDI-DIODE |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, Silicon, |
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| 1N6701USE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, D-5C, |
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| 1N6702 | CDI-DIODE |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, Silicon, |
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| 1N6702 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
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| 1N6702-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 5A, 40V V(RRM), |
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| 1N6702US | CDI-DIODE |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, Silicon, |
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| 1N6702USE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, D-5C, |
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| 1N6703 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 20A, Silicon, G-STRAP-1 |
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