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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | G-STRAP-1 |
| 针数： | 1 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.92 | 应用： | ULTRA FAST RECOVERY |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | O-XXSO-G1 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 150 A | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 1 | 最大输出电流： | 20 A |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大反向恢复时间： | 0.035 µs |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | UNSPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N6703E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 20A, Silicon, G-STRAP-1 |
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| 1N6704 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 200V V(RRM), Silicon, DO-217AA, HERMETIC SEALED, |
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| 1N6704R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 200V V(RRM), Silicon, DO-217AA, HERMETIC SEALED, |
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| 1N6705 | MICROSEMI |
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ULTRAFAST RECTIFIER |
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| 1N6705R | MICROSEMI |
获取价格 |
ULTRAFAST RECTIFIER |
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| 1N6706 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 20A, Silicon, G-STRAP-1 |
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| 1N6706E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 20A, Silicon, G-STRAP-1 |
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| 1N6706R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 20A, Silicon, G-STRAP-1 |
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| 1N6707 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 20A, Silicon, G-STRAP-1 |
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| 1N6707E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 20A, Silicon, G-STRAP-1 |
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