| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | O-XALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.82 |
| 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED | 应用： | GENERAL PURPOSE |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | O-XALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最大输出电流： | 5 A |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | MIL |
| 表面贴装： | NO | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N6702-1 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 5A, 40V V(RRM), |
|
| 1N6702US | CDI-DIODE |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, Silicon, |
|
| 1N6702USE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, D-5C, |
|
| 1N6703 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 20A, Silicon, G-STRAP-1 |
|
| 1N6703E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 20A, Silicon, G-STRAP-1 |
|
| 1N6704 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 200V V(RRM), Silicon, DO-217AA, HERMETIC SEALED, |
|
| 1N6704R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 200V V(RRM), Silicon, DO-217AA, HERMETIC SEALED, |
|
| 1N6705 | MICROSEMI |
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ULTRAFAST RECTIFIER |
|
| 1N6705R | MICROSEMI |
获取价格 |
ULTRAFAST RECTIFIER |
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| 1N6706 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 20A, Silicon, G-STRAP-1 |
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