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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | G-STRAP-1 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.84 |
| 应用： | ULTRA FAST RECOVERY | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | O-XXSO-G1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 150 A | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 1 | 最大输出电流： | 20 A |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 最大反向恢复时间： | 0.035 µs |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | UNSPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N6704 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 200V V(RRM), Silicon, DO-217AA, HERMETIC SEALED, |
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| 1N6704R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 200V V(RRM), Silicon, DO-217AA, HERMETIC SEALED, |
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| 1N6705 | MICROSEMI |
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ULTRAFAST RECTIFIER |
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| 1N6705R | MICROSEMI |
获取价格 |
ULTRAFAST RECTIFIER |
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| 1N6706 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 20A, Silicon, G-STRAP-1 |
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| 1N6706E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 20A, Silicon, G-STRAP-1 |
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| 1N6706R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 20A, Silicon, G-STRAP-1 |
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| 1N6707 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 20A, Silicon, G-STRAP-1 |
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| 1N6707E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 20A, Silicon, G-STRAP-1 |
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| 1N6707R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 20A, Silicon, G-STRAP-1 |
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