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1N6707E3

更新时间: 2024-11-06 19:46:15
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美高森美 - MICROSEMI 超快恢复二极管快速恢复二极管
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1页 119K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 20A, Silicon, G-STRAP-1

1N6707E3 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:G-STRAP-1
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.84
应用:ULTRA FAST RECOVERY二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:O-XXSO-G1
最大非重复峰值正向电流:150 A相数:1
端子数量:1最大输出电流:20 A
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:SMALL OUTLINE最大反向恢复时间:0.04 µs
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:UNSPECIFIEDBase Number Matches:1

1N6707E3 数据手册

  

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