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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> 1N5822-T
1N5822-T PDF预览

1N5822-T

更新时间： 2024-11-13 04:24:43
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
2页 57K
描述
3.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

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1N5822-T 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-201AD
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：7.61
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.525 VJEDEC-95代码：DO-201AD
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：80 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最大输出电流：3 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：40 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Bright Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40

1N5822-T 数据手册

 浏览型号1N5822-T的Datasheet PDF文件第2页 
1N5820 - 1N5822  
3.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS  
Features  
·
·
·
·
·
·
Schottky Barrier Chip  
Guard Ring Die Construction for Transient Protection  
Low Power Loss, High Efficiency  
High Surge Capability  
A
B
A
High Current Capability and Low Forward Voltage Drop  
For Use in Low Voltage, High Frequency Inverters, Free  
Wheeling, and Polarity Protection Application  
·
Lead Free Finish, RoHS Compliant (Note 4)  
C
D
Mechanical Data  
·
·
Case: DO-201AD  
DO-201AD  
Min  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
Dim  
A
Max  
25.40  
7.20  
¾
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
B
9.50  
1.30  
5.30  
Terminals: Finish - Bright Tin. Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
C
1.20  
·
·
·
·
·
Polarity: Cathode Band  
D
4.80  
Mounting Position: Any  
All Dimensions in mm  
Marking: Type Number  
Ordering Information: See Last Page  
Weight: 1.1 grams (approximate)  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Characteristic  
Symbol  
1N5820  
20  
1N5821  
1N5822  
40  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
30  
V
VR(RMS)  
IO  
RMS Reverse Voltage  
14  
21  
28  
V
A
Average Rectified Output Current  
(Note 1)  
3.0  
@ TL = 95°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms  
single half sine-wave superimposed on rated load  
IFSM  
80  
A
(JEDEC Method)  
@ TL = 75°C  
Forward Voltage (Note 2)  
@ IF = 3.0A  
@ IF = 9.4A  
0.475  
0.850  
0.500  
0.900  
0.525  
0.950  
VFM  
IRM  
V
Peak Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage (Note 2)  
@ TA  
= 25°C  
2.0  
20  
mA  
@ TA = 100°C  
RqJA  
RqJL  
40  
10  
°C/W  
°C  
Typical Thermal Resistance (Note 3)  
Tj, TSTG  
Operating and Storage Temperature Range  
-65 to +125  
Notes: 1. Measured at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.  
2. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.  
3. Thermal resistance from junction to lead vertical P.C.B. mounted, 0.500" (12.7mm) lead length with 2.5 x 2.5" (63.5 x 63.5mm)  
copper pad.  
4. RoHS revision 13.2.2003. Glass and High Temperature Solder Exemptions Applied, see EU Directive Annex Notes 5 and 7.  
DS23003 Rev. 8 - 2  
1 of 2  
1N5820-1N5822  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
12

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1N5822-T 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N5822-T/B FRONTIER

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1N5822-T/R FRONTIER

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon,
1N5822-T3 ONSEMI

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 		3.0A SCHOTTKY BARRIER DIODE
1N5822-T3 WTE

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1N5822-T3 SENSITRON

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