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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | O-PALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.58 |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 0.525 V |
| JESD-30 代码： | O-PALF-W2 | 最大非重复峰值正向电流： | 80 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 3 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大反向电流： | 2000 µA | 表面贴装： | NO |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5822-T3 | ONSEMI |
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3.0A SCHOTTKY BARRIER DIODE |
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| 1N5822-T3 | WTE |
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3.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
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| 1N5822-T3 | SENSITRON |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC |
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| 1N5822-T3-LF | WTE |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COM |
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| 1N5822-T3-LF | ONSEMI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COM |
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| 1N5822-TB | WTE |
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3.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
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| 1N5822-TB | ONSEMI |
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3.0A SCHOTTKY BARRIER DIODE |
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| 1N5822-TB-LF | WTE |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 1N5822-TP | MCC |
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3 Amp Schottky Barrier Rectifier 20 - 40 Volts |
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| 1N5822-TP-HF | MCC |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-201AD, |
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