5秒后页面跳转
1N5822USE3 PDF预览

1N5822USE3

更新时间: 2024-11-13 15:45:55
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
8页 1050K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, D5B, 2 PIN

1N5822USE3 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Active
包装说明:HERMETIC SEALED, D5B, 2 PINReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.14Is Samacsys:N
其他特性:METALLURGICALLY BONDED应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.4 VJESD-30 代码:O-LELF-R2
最大非重复峰值正向电流:80 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C最大输出电流:3 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大重复峰值反向电压:40 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子形式:WRAP AROUND
端子位置:ENDBase Number Matches:1

1N5822USE3 数据手册

 浏览型号1N5822USE3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1N5822USE3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号1N5822USE3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号1N5822USE3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号1N5822USE3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号1N5822USE3的Datasheet PDF文件第7页 

1N5822USE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANS1N5822US MICROSEMI

功能相似

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, D
1N5822US MICROSEMI

功能相似

3 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

与1N5822USE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N5823 MICROSEMI

获取价格

5 Amp Schottky Rectifier
1N5823 NJSEMI

获取价格

SCHOTTKY VARRIER RECTIFIERS
1N5823 SUNMATE

获取价格

5A Plug-in Schottky diode 20V DO-201 series
1N5823_07 MICROSEMI

获取价格

5 Amp Schottky Rectifier
1N5824 NJSEMI

获取价格

Diode Schottky 30V 5A 2-Pin TOP HAT
1N5824 MICROSEMI

获取价格

5 Amp Schottky Rectifier
1N5824 SUNMATE

获取价格

5A Plug-in Schottky diode 30V DO-201 series
1N5825 SUNMATE

获取价格

5A Plug-in Schottky diode 40V DO-201 series
1N5825 MICROSEMI

获取价格

5 Amp Schottky Rectifier
1N5825 NJSEMI

获取价格

Diode Schottky 40V 5A 2-Pin TOP HAT