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1N5822USE3

更新时间: 2024-09-23 15:45:55
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
8页 1050K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, D5B, 2 PIN

1N5822USE3 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Active
包装说明:HERMETIC SEALED, D5B, 2 PINReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.14Is Samacsys:N
其他特性:METALLURGICALLY BONDED应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.4 VJESD-30 代码:O-LELF-R2
最大非重复峰值正向电流:80 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C最大输出电流:3 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大重复峰值反向电压:40 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子形式:WRAP AROUND
端子位置:ENDBase Number Matches:1

1N5822USE3 数据手册

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