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1N5827A

更新时间: 2024-01-05 17:50:26
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NJSEMI /
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1页 355K
描述
Diode Schottky 30V 15A 2-Pin DO-4

1N5827A 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:O-MUPM-D1Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.69应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:ANODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.77 VJEDEC-95代码:DO-4
JESD-30 代码:O-MUPM-D1最大非重复峰值正向电流:600 A
元件数量:1相数:1
端子数量:1最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C最大输出电流:15 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大反向电流:2000 µA表面贴装:NO
技术:SCHOTTKY端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N5827A 数据手册

  

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