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1N5829

更新时间: 2024-01-01 18:56:51
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NJSEMI 整流二极管
页数 文件大小 规格书
1页 143K
描述
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

1N5829 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.69Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:ANODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.72 VJEDEC-95代码:DO-4
JESD-30 代码:O-MUPM-D1最大非重复峰值正向电流:800 A
元件数量:1相数:1
端子数量:1最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:25 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT参考标准:MIL-19500
最大重复峰值反向电压:20 V最大反向电流:3000 µA
表面贴装:NO技术:SCHOTTKY
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
Base Number Matches:1

1N5829 数据手册

  

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