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1N5829R

更新时间： 2024-01-04 16:45:46

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NAINA		二极管
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2页	123K
描述
Schottky Power Diode, 25A

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1N5829R 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	ANODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.72 V	JEDEC-95代码：	DO-4
JESD-30 代码：	O-MUPM-D1	最大非重复峰值正向电流：	800 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	1	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	25 A
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	参考标准：	MIL-19500
最大重复峰值反向电压：	20 V	最大反向电流：	3000 µA
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	SOLDER LUG	端子位置：	UPPER
Base Number Matches：	1

1N5829R 数据手册

1N5829 thru

1N5831R

Naina Semiconductor Ltd.

Schottky Power Diode, 25A

Features

•

Fast Switching

Low forward voltage drop

High surge capability

High efficiency, low power loss

Normal and Reverse polarity

DO-203AA (DO-4)

Maximum Ratings (T_J= 25^oC, unless otherwise noted)

Parameter

Test Conditions

Symbol 1N5829(R)

1N5830(R)

1N5831(R)

Units

Repetitive peak reverse voltage

RMS reverse voltage

DC blocking voltage

V_RRM

V_RMS

V_DC

I_F

Continuous forward current

T_C≤ 100^oC

Surge non-repetitive forward

current, half-sine wave

T_C= 25^oC

t_p= 8.3 ms

I_FSM

V_F

800

I_F= 25 A

T_J= 25^oC

V_R= 20V, T_J= 25^oC

V_R= 20V, T_J= 125^oC

Forward voltage

Reverse current

0.58

I_R

250

Thermal & Mechanical Specifications (T_J= 25^oC, unless otherwise noted)

Parameters

Symbol 1N5829(R) 1N5830(R) 1N5831(R)

Units

^oC/W

^oC

Maximum thermal resistance, junction to case

Operating junction temperature range

Storage temperature

R_th(JC)

T_J

1.8

-55 to 150

-55 to 175

2.0

T_stg

^oC

Mounting torque (non-lubricated threads)

Approximate allowable weight

5.0

D-95, Sector 63, Noida – 201301, India

•

Tel: 0120-4205450

•

Fax: 0120-4273653

sales@nainasemi.com

•

www.nainasemi.com

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