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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.07 | 应用： | GENERAL PURPOSE |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-201AD | JESD-30 代码： | O-PALF-W2 |
| JESD-609代码： | e3 | 最大非重复峰值正向电流： | 80 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最大输出电流： | 3 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 40 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5822-TS01 | MCC |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-201AD, DO-201AD |
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| 1N5822-TS01-BP | MCC |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-201AD, DO-201AD |
|
| 1N5822-TS01-TP | MCC |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-201AD, DO-201AD |
|
| 1N5822U | STMICROELECTRONICS |
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Aerospace 40 V power Schottky rectifier |
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| 1N5822U21 | RECTRON |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-201AD, |
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| 1N5822U22 | RECTRON |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-201AD, |
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| 1N5822U26 | RECTRON |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-201AD, |
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| 1N5822U27 | RECTRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-201AD, |
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| 1N5822US | MICROSEMI |
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3 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS |
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| 1N5822US | CDI-DIODE |
获取价格 |
3 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS |
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