是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | DO-201AD |
包装说明: | PLASTIC PACKAGE-2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.07 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS |
应用: | EFFICIENCY | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码: | DO-201AD |
JESD-30 代码: | O-PALF-W2 | 湿度敏感等级: | 1 |
最大非重复峰值正向电流: | 80 A | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
最大输出电流: | 3 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 40 V | 表面贴装: | NO |
技术: | SCHOTTKY | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N5822-T3-LF | WTE |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COM | |
1N5822-T3-LF | ONSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COM | |
1N5822-TB | WTE |
获取价格 |
3.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER | |
1N5822-TB | ONSEMI |
获取价格 |
3.0A SCHOTTKY BARRIER DIODE | |
1N5822-TB-LF | WTE |
获取价格 |
暂无描述 | |
1N5822-TP | MCC |
获取价格 |
3 Amp Schottky Barrier Rectifier 20 - 40 Volts | |
1N5822-TP-HF | MCC |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-201AD, | |
1N5822TRLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-201AD, | |
1N5822-TS01 | MCC |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-201AD, DO-201AD | |
1N5822-TS01-BP | MCC |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-201AD, DO-201AD |