1N5822-T/B

更新时间： 2024-01-12 17:18:18

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FRONTIER		肖特基二极管
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2页	115K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon,

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1N5822-T/B 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	HERMETIC SEALED, D5B, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	1.63	Is Samacsys：	N
其他特性：	METALLURGICALLY BONDED	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.4 V	JESD-30 代码：	O-LELF-R2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	3 A
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	40 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WRAP AROUND	端子位置：	END
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

1N5822-T/B 数据手册

Frontier Electronics Corp.

667 E. COCHRAN STREET, SIMI VALLEY, CA 93065

TEL: (805) 522-9998 FAX: (805) 522-9989

E-mail: frontiersales@frontierusa.com

Web: http://www.frontierusa.com

3A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

1N5820 1N5821 1N5822

FEATURES

z EXTREMELY LOW VF

z UL 94V0 FLAME RETARDANT EPOXY MOLDING COMPOUND

z LOW STORED CHARGE, MAJORITY CARRIER CONDUCTION

z LOW POWER LOSS/HIGH EFFICIENCY

1.0(25.4)

MIN

.052(1.3)

.048(1.2)

.375(9.5)

.335(8.5)

MECHANICAL DATA

z CASE: TRANSFER MOLDED, DO201AD, DIMENSIONS

IN INCHES AND (MILLIMETERS)

.220(5.6)

.197(5.0)

z LEADS: SOLDERABLE PER MIL-STD-202, METHOD 208

z POLARITY: CATHODE INDICATED BY COLOR BAND

z WEIGHT: 1.2 GRAMS

1.0(25.4)

MIN

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS RATINGS AT 25°C AMBIENT TEMPERATURE UNLESS OTHERWISE SPECIFIED

SINGLE PHASE, HALF WAVE, 60 HZ, RESISTIVE OR INDUCTIVE LOAD. FOR CAPACITIVE LOAD, DERATE CURRENT BY 20%

RATINGS

SYMBOL

1N5820

1N5821

1N5822

UNITS

MAXIMUM RECURRENT PEAK REVERSE VOLTAGE

MAXIMUM RMS VOLTAGE

V_RRM

V_RMS

V_DC

MAXIMUM DC BLOCKING VOLTAGE

MAXIMUM AVERAGE FORWARD RECTIFIED CURRENT

SEE FIG.1

I_O

3.0

PEAK FORWARD SURGE CURRENT, 8.3ms SINGLE HALF

SINE-WAVE SUPERIMPOSED ON RATED LOAD

TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE (NOTE1)

I_FSM

C_J

250

TYPICAL THERMAL RESISTANCE (NOTE 2)

STORAGE TEMPERATURE RANGE

℃/W

θja

T_STG

T_OP

- 55 TO + 125

℃

OPERATING TEMPERATURE RANGE

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (A_TT_A=25°C UNLESS OTHERWISE NOTED)

CHARACTERISTICS

MAXIMUM FORWARD VOLTAGE AT I_ODC

MAXIMUM REVERSE CURRENT AT 25℃

SYMBOL

1N5820

0.475

1N5821

0.500

2.0

1N5822

0.525

UNITS

V_F

I_R

MAXIMUM REVERSE CURRENT AT 100℃

I_R

20.0

NOTES: 1. MEASURED AT 1 MHZ AND APPLIED REVERSE VOLTAGE 0F 4.0 VOLTS

2. BOTH LEADS ATTACHED TO HEAT SINK 63.5x63.5x1t(mm) COPPER PLATE AT LEAD LENGTH 5mm

1N5820 1N5821 1N5822

Page: 1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1N5822-T/R	FRONTIER	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon,	获取价格
1N5822-T3	ONSEMI	3.0A SCHOTTKY BARRIER DIODE	获取价格
1N5822-T3	WTE	3.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER	获取价格
1N5822-T3	SENSITRON	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC	获取价格
1N5822-T3-LF	WTE	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COM	获取价格
1N5822-T3-LF	ONSEMI	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COM	获取价格

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