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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> 1N5822-T/B
1N5822-T/B PDF预览

1N5822-T/B

更新时间： 2024-11-13 13:03:43
品牌 Logo 应用领域
FRONTIER 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
2页 115K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon,

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1N5822-T/B 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：O-PALF-W2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.58
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.525 V
JESD-30 代码：O-PALF-W2最大非重复峰值正向电流：80 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：3 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM认证状态：Not Qualified
最大反向电流：2000 µA表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：WIRE
端子位置：AXIALBase Number Matches：1

1N5822-T/B 数据手册

 浏览型号1N5822-T/B的Datasheet PDF文件第2页 
Frontier Electronics Corp.  
667 E. COCHRAN STREET, SIMI VALLEY, CA 93065  
TEL: (805) 522-9998 FAX: (805) 522-9989  
E-mail: frontiersales@frontierusa.com  
Web: http://www.frontierusa.com  
3A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS  
1N5820 1N5821 1N5822  
FEATURES  
z EXTREMELY LOW VF  
z UL 94V0 FLAME RETARDANT EPOXY MOLDING COMPOUND  
z LOW STORED CHARGE, MAJORITY CARRIER CONDUCTION  
z LOW POWER LOSS/HIGH EFFICIENCY  
1.0(25.4)  
MIN  
.052(1.3)  
.048(1.2)  
.375(9.5)  
.335(8.5)  
MECHANICAL DATA  
z CASE: TRANSFER MOLDED, DO201AD, DIMENSIONS  
IN INCHES AND (MILLIMETERS)  
.220(5.6)  
.197(5.0)  
z LEADS: SOLDERABLE PER MIL-STD-202, METHOD 208  
z POLARITY: CATHODE INDICATED BY COLOR BAND  
z WEIGHT: 1.2 GRAMS  
1.0(25.4)  
MIN  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS RATINGS AT 25°C AMBIENT TEMPERATURE UNLESS OTHERWISE SPECIFIED  
SINGLE PHASE, HALF WAVE, 60 HZ, RESISTIVE OR INDUCTIVE LOAD. FOR CAPACITIVE LOAD, DERATE CURRENT BY 20%  
RATINGS  
SYMBOL  
1N5820  
1N5821  
1N5822  
UNITS  
MAXIMUM RECURRENT PEAK REVERSE VOLTAGE  
MAXIMUM RMS VOLTAGE  
VRRM  
VRMS  
VDC  
20  
14  
20  
30  
21  
30  
40  
28  
40  
V
V
V
MAXIMUM DC BLOCKING VOLTAGE  
MAXIMUM AVERAGE FORWARD RECTIFIED CURRENT  
SEE FIG.1  
IO  
3.0  
80  
A
A
PEAK FORWARD SURGE CURRENT, 8.3ms SINGLE HALF  
SINE-WAVE SUPERIMPOSED ON RATED LOAD  
TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE (NOTE1)  
IFSM  
CJ  
250  
30  
PF  
TYPICAL THERMAL RESISTANCE (NOTE 2)  
STORAGE TEMPERATURE RANGE  
℃/W  
R
θja  
TSTG  
TOP  
- 55 TO + 125  
- 55 TO + 125  
℃
℃
OPERATING TEMPERATURE RANGE  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (AT TA =25°C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
CHARACTERISTICS  
MAXIMUM FORWARD VOLTAGE AT IO DC  
MAXIMUM REVERSE CURRENT AT 25℃  
SYMBOL  
1N5820  
0.475  
1N5821  
0.500  
2.0  
1N5822  
0.525  
UNITS  
V
VF  
IR  
mA  
MAXIMUM REVERSE CURRENT AT 100℃  
IR  
20.0  
mA  
NOTES: 1. MEASURED AT 1 MHZ AND APPLIED REVERSE VOLTAGE 0F 4.0 VOLTS  
2. BOTH LEADS ATTACHED TO HEAT SINK 63.5x63.5x1t(mm) COPPER PLATE AT LEAD LENGTH 5mm  
1N5820 1N5821 1N5822  
Page: 1  
12

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与1N5822-T/B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N5822-T/R FRONTIER

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon,
1N5822-T3 ONSEMI

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 		3.0A SCHOTTKY BARRIER DIODE
1N5822-T3 WTE

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 		3.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
1N5822-T3 SENSITRON

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC
1N5822-T3-LF WTE

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COM
1N5822-T3-LF ONSEMI

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-201AD, ROHS COM
1N5822-TB WTE

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 		3.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
1N5822-TB ONSEMI

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 		3.0A SCHOTTKY BARRIER DIODE
1N5822-TB-LF WTE

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 		暂无描述
1N5822-TP MCC

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 		3 Amp Schottky Barrier Rectifier 20 - 40 Volts

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