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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 15 weeks |
| 风险等级： | 5.72 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 550 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1.4 A | 最大漏源导通电阻： | 0.675 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 参考标准： | AEC-Q101 | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ZXMS6002GTA | ZETEX |
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60V N-Channel self protected enhancement mode |
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| ZXMS6002GTA | DIODES |
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60V N-Channel self protected enhancement mode |
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| ZXMS6003 | ZETEX |
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60V N-channel self protected enhancement mode IntelliFET MOSFET with programmable current |
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| ZXMS6003G | ZETEX |
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60V N-channel self protected enhancement mode IntelliFET MOSFET with programmable current |
|
| ZXMS6003G | DIODES |
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60V N-channel self protected enhancement mode |
|
| ZXMS6003GQTA | DIODES |
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暂无描述 |
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| ZXMS6003GTA | ZETEX |
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60V N-channel self protected enhancement mode IntelliFET MOSFET with programmable current |
|
| ZXMS6003GTA | DIODES |
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60V N-channel self protected enhancement mode |
|
| ZXMS6003TA | ZETEX |
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Transistor |
|
| ZXMS6004DG | DIODES |
获取价格 |
60V N-channel self protected enhancement mode |
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