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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 7.79 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 2.7 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.125 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ZXMP6A18 | ZETEX |
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60V P-channel enhancement mode MOSFET |
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| ZXMP6A18DN8 | ZETEX |
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DUAL P-CHANNEL 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| ZXMP6A18DN8 | DIODES |
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DUAL P-CHANNEL 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| ZXMP6A18DN8QTA | DIODES |
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Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 60V, 0.055ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| ZXMP6A18DN8TA | ZETEX |
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DUAL P-CHANNEL 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| ZXMP6A18DN8TA | DIODES |
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DUAL P-CHANNEL 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| ZXMP6A18DN8TC | ZETEX |
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DUAL P-CHANNEL 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| ZXMP6A18DN8TC | DIODES |
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DUAL P-CHANNEL 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| ZXMP6A18K | DIODES |
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60V P-channel enhancement mode MOSFET |
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| ZXMP6A18K | ZETEX |
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60V P-channel enhancement mode MOSFET |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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