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ZXMP7A17GQTA

更新时间： 2024-02-16 20:20:53

品牌	Logo	应用领域
美台 - DIODES		/
页数	文件大小	规格书
8页	425K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 70V, 0.16ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-4

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ZXMP7A17GQTA 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	15 weeks	风险等级：	2.21
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	70 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.7 A	最大漏极电流 (ID)：	2.6 A
最大漏源导通电阻：	0.16 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	3.9 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	9.6 A
参考标准：	AEC-Q101	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ZXMP7A17GQTA 数据手册

ZXMP7A17G

70V P-channel enhancement mode MOSFET

Summary

=70V : R

=0.16⍀

DS(on)

DSS

I =3.7A

Description

This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique

structure that combines the benefits of low on-resistance with fast

switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage

power management applications.

Features

•

Low on-resistance

Fast switching speed

Low threshold

Low gate drive

SOT223 package

Applications

•

DC-DC converters

Power management functions

Disconnect switches

Motor control

Class D audio output stages

Ordering information

Device

Reel size

(inches)

Tape width

(mm)

Quantity per reel

ZXMP7A17GTA

ZXMP7A17GTC

1,000

4,000

Device marking

ZXMP

7A17

Issue 1 - March 2006

www.zetex.com

12 3 4 5 6 7 8

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