ZXMP6A18DN8

更新时间： 2024-11-19 07:42:31

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美台 - DIODES		晶体晶体管功率场效应晶体管开关光电二极管
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描述
DUAL P-CHANNEL 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET

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ZXMP6A18DN8 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.13	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	4.4 A	最大漏源导通电阻：	0.08 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ZXMP6A18DN8 数据手册

ZXMP6A18DN8

DUAL P-CHANNEL 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET

SUMMARY

V_(BR)DSS= -60V; R_DS(ON)= 0.055 ; I_D= -4.8A

DESCRIPTION

This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure

that com bines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This

m akes them ideal for high efficiency, low voltage, power m anagem ent

applications.

FEATURES

•

Low on-resistance

Fast switching speed

Low threshold

SO8

Low gate drive

Low profile SOIC package

APPLICATIONS

•

Motor drive

Disconnect switches

ORDERING INFORMATION

DEVICE

REEL TAPE

QUANTITY

PER REEL

WIDTH

12m m

ZXMP6A18DN8TA

ZXMP6A18DN8TC

7’‘

500 units

PINOUT

13’‘

2500 units

DEVICE MARKING

ZXMP

6A18

Top view

ISSUE 1 - MAY 2005

12 3 4 5 6 7

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