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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> ZXMP6A18DN8TA
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ZXMP6A18DN8TA

更新时间： 2024-11-19 07:42:31
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 181K
描述
DUAL P-CHANNEL 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET

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ZXMP6A18DN8TA 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT
包装说明：SOIC-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95Factory Lead Time：17 weeks
风险等级：0.76Is Samacsys：N
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.8 A最大漏极电流 (ID)：3.7 A
最大漏源导通电阻：0.055 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.1 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：23 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

ZXMP6A18DN8TA 数据手册

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ZXMP6A18DN8  
DUAL P-CHANNEL 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET  
SUMMARY  
V(BR)DSS = -60V; RDS(ON) = 0.055 ; ID= -4.8A  
DESCRIPTION  
This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure  
that com bines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This  
m akes them ideal for high efficiency, low voltage, power m anagem ent  
applications.  
FEATURES  
•
•
•
•
•
Low on-resistance  
Fast switching speed  
Low threshold  
SO8  
Low gate drive  
Low profile SOIC package  
APPLICATIONS  
•
•
Motor drive  
Disconnect switches  
ORDERING INFORMATION  
DEVICE  
REEL TAPE  
QUANTITY  
PER REEL  
WIDTH  
12m m  
12m m  
ZXMP6A18DN8TA  
ZXMP6A18DN8TC  
7’‘  
500 units  
PINOUT  
13’‘  
2500 units  
DEVICE MARKING  
ZXMP  
6A18  
Top view  
ISSUE 1 - MAY 2005  
1
1234567

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