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ZXMP6A18KTC

更新时间： 2024-11-19 07:42:31

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8页	579K
描述
60V P-channel enhancement mode MOSFET

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ZXMP6A18KTC 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	17 weeks
风险等级：	1.18	其他特性：	LOW THRESHOLD; FAST SWITCHING
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10.4 A
最大漏极电流 (ID)：	10.4 A	最大漏源导通电阻：	0.055 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	10.1 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	37.5 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

ZXMP6A18KTC 数据手册

ZXMP6A18K

60V P-channel enhancement mode MOSFET

Summary

= -60V: R

= 0.055 : I = -10.4A

DS(on) D

(BR)DSS

Description

This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique

structure that combines the benefits of low on-resistance with fast

switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage,

power management applications.

Features

•

Low on-resistance

Fast switching speed

Low threshold

Low gate drive

DPAK package

Applications

•

Motor drive

Disconnect switches

Ordering information

Device

Reel size

(inches)

Tape width

Quantity per reel

Pinout - Top view

ZXMP6A18KTC

16mm

2500 units

Device marking

ZXMP

6A18

Issue 1 - March 2006

www.zetex.com

12 3 4 5 6 7 8

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