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ZXMP6A18DN8

更新时间： 2024-11-18 22:11:31

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捷特科 - ZETEX		晶体晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
7页	180K
描述
DUAL P-CHANNEL 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET

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ZXMP6A18DN8 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.28
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	4.4 A
最大漏源导通电阻：	0.08 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

ZXMP6A18DN8 数据手册

ZXMP6A18DN8

DUAL P-CHANNEL 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET

SUMMARY

V_(BR)DSS= -60V; R_DS(ON)= 0.055 ; I_D= -4.8A

DESCRIPTION

This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure

that com bines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This

m akes them ideal for high efficiency, low voltage, power m anagem ent

applications.

FEATURES

•

Low on-resistance

Fast switching speed

Low threshold

SO8

Low gate drive

Low profile SOIC package

APPLICATIONS

•

Motor drive

Disconnect switches

ORDERING INFORMATION

DEVICE

REEL TAPE

QUANTITY

PER REEL

WIDTH

12m m

ZXMP6A18DN8TA

ZXMP6A18DN8TC

7’‘

500 units

PINOUT

13’‘

2500 units

DEVICE MARKING

ZXMP

6A18

Top view

ISSUE 1 - MAY 2005

12 3 4 5 6 7

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