ZVP4424A

更新时间： 2025-07-19 07:42:43

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美台 - DIODES		晶体小信号场效应晶体管开关
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3页	112K
描述
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

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ZVP4424A 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	Factory Lead Time：	17 weeks
风险等级：	0.66	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	240 V	最大漏极电流 (ID)：	0.2 A
最大漏源导通电阻：	9 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	15 pF	JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ZVP4424A 数据手册

P-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE VERTICAL DMOS FET

ISSUE 2 SEPTEMBER 94

ZVP4424A

FEATURES

240 Volt V_DS

R_DS(on)=9Ω

Low threshold

APPLICATIONS

Electronic Hook Switch

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_DS

VALUE

UNIT

Drain-Source Voltage

-240

-200

Continuous Drain Current at T_amb=25°C

Pulsed Drain Current

I_D

I_DM

-1

Gate Source Voltage

V_GS

± 40

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

P_tot

750

°C

T_j:T_stg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN. TYP

MAX. UNIT CONDITIONS.

Drain-Source Breakdown

Voltage

BV_DSS

-240

I_D=-1mA, V_GS=0V

ID=-1mA, V_DS= V_GS

V_GS=± 40V, V_DS=0V

Gate-Source Threshold

Voltage

V_GS(th)

-0.7

-1.4

-2.0

100

Gate-Body Leakage

I_GSS

I_DSS

Zero Gate Voltage Drain

Current

-10

-100

V_DS=-240 V, V_GS=0

V_DS=-190V, V_GS=0V, T=125°C

µA

On-State Drain Current

I_D(on)

-0.75 -1.0

V_DS=-10 V, V_GS=-10V

Static Drain-Source

On-State Resistance

R_DS(on)

7.1

8.8

V_GS=-10V,I_D=-200mA

V_GS=-3.5V,I_D=-100mA

Ω

Forward

Transconductance (1) (2)

g_fs

125

V_DS=-10V,I_D=-0.2A

Input Capacitance (2)

C_iss

100

200

Common Source Output

Capacitance (2)

C_oss

V_DS=-25V, V_GS=0V, f=1MHz

Reverse Transfer

Capacitance (2)

C_rss

Turn-On Delay Time (2)(3) t_d(on)

Rise Time (2)(3) t_r

Turn-Off Delay Time (2)(3) t_d(off)

Fall Time (2)(3) t_f

V_DD≈−50V, I_D=-0.25A,

V_GEN=-10V

(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2% (2) Sample test.

(3) Switching times measured with 50Ω source impedance and <5ns rise time on a pulse generator

3-436

12 3

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
ZVP2106A	DIODES	类似代替	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
BSS123-7-F	DIODES	功能相似	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ZVP4424ASM	DIODES	获取价格	暂无描述
ZVP4424ASM	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 240V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
ZVP4424ASMTA	ZETEX	获取价格	暂无描述
ZVP4424ASMTC	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 240V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
ZVP4424ASTOA	DIODES	获取价格	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ZVP4424ASTOB	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 240V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
ZVP4424ASTOB	DIODES	获取价格	200mA, 240V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
ZVP4424ASTZ	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 240V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
ZVP4424C	ETC	获取价格	Obsolete - alternative part: ZVP4424A
ZVP4424CSTOA	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 240V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta

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