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ZVP4424G

更新时间: 2023-12-18 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管功率场效应晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 137K
描述
SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

ZVP4424G 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4针数:4
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:17 weeks风险等级:1.72
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:240 V最大漏极电流 (Abs) (ID):0.2 A
最大漏极电流 (ID):0.2 A最大漏源导通电阻:0.009 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:4
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):2.6 W最大脉冲漏极电流 (IDM):1 A
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

ZVP4424G 数据手册

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SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENT  
MODE VERTICAL DMOS FET  
ISSUE 2 - OCTOBER 1995  
ZVP4424G  
FEATURES  
*
*
*
240 Volt VDS  
D
RDS(on)= 8.8typical at VGS=-3.5V  
Low threshold and Fast switching  
APPLICATIONS  
S
*
*
Electronic hook switches  
D
Telecoms and Battery powered equipment  
G
COMPLEMENTARY TYPE -  
PARTMARKING DETAIL -  
ZVN4424G  
ZVP4424  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VDS  
VALUE  
-240  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
V
mA  
A
Continuous Drain Current at Tamb=25°C  
Pulsed Drain Current  
ID  
-480  
IDM  
-1.0  
Gate Source Voltage  
VGS  
V
± 40  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
Ptot  
2.5  
W
°C  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
3 - 438  

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