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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> ZVP4424GTA
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ZVP4424GTA

更新时间： 2024-02-04 04:09:41
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 晶体小信号场效应晶体管开关
页数 文件大小 规格书
3页 111K
描述
Power Field-Effect Transistor, 0.48A I(D), 240V, 11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN

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ZVP4424GTA 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：17 weeks风险等级：1.72
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：240 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.2 A
最大漏极电流 (ID)：0.2 A最大漏源导通电阻：0.009 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.6 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：1 A
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

ZVP4424GTA 数据手册

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P-CHANNEL ENHANCEMENT  
MODE VERTICAL DMOS FET  
ISSUE 2 – SEPTEMBER 94  
ZVP4424A  
FEATURES  
*
*
*
240 Volt VDS  
RDS(on)=9Ω  
Low threshold  
APPLICATIONS  
Electronic Hook Switch  
*
D
G
S
E-Line  
TO92 Compatible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VDS  
VALUE  
UNIT  
V
Drain-Source Voltage  
-240  
-200  
Continuous Drain Current at Tamb=25°C  
Pulsed Drain Current  
ID  
mA  
A
IDM  
-1  
Gate Source Voltage  
VGS  
V
± 40  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
Ptot  
750  
mW  
°C  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN. TYP  
MAX. UNIT CONDITIONS.  
Drain-Source Breakdown  
Voltage  
BVDSS  
-240  
V
ID=-1mA, VGS=0V  
ID=-1mA, VDS= VGS  
VGS=± 40V, VDS=0V  
Gate-Source Threshold  
Voltage  
VGS(th)  
-0.7  
-1.4  
-2.0  
100  
V
Gate-Body Leakage  
IGSS  
IDSS  
nA  
Zero Gate Voltage Drain  
Current  
-10  
-100  
VDS=-240 V, VGS=0  
VDS=-190V, VGS=0V, T=125°C  
µA  
µA  
On-State Drain Current  
ID(on)  
-0.75 -1.0  
A
VDS=-10 V, VGS=-10V  
Static Drain-Source  
On-State Resistance  
RDS(on)  
7.1  
8.8  
9
11  
VGS=-10V,ID=-200mA  
VGS=-3.5V,ID=-100mA  
Ω
Ω
Forward  
Transconductance (1) (2)  
gfs  
125  
mS  
VDS=-10V,ID=-0.2A  
Input Capacitance (2)  
Ciss  
100  
18  
200  
25  
pF  
pF  
Common Source Output  
Capacitance (2)  
Coss  
VDS=-25V, VGS=0V, f=1MHz  
Reverse Transfer  
Capacitance (2)  
Crss  
5
15  
pF  
Turn-On Delay Time (2)(3) td(on)  
Rise Time (2)(3) tr  
Turn-Off Delay Time (2)(3) td(off)  
Fall Time (2)(3) tf  
8
15  
15  
40  
30  
ns  
ns  
ns  
ns  
8
VDD ≈−50V, ID =-0.25A,  
VGEN=-10V  
26  
20  
(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2% (2) Sample test.  
(3) Switching times measured with 50Ω source impedance and <5ns rise time on a pulse generator  
3-436  
123

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