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ZVP4424G/TA

更新时间： 2024-01-27 10:41:38

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3页	136K
描述
TRANSISTOR MOSFET SMD SOT 223

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ZVP4424G/TA 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	17 weeks	风险等级：	1.72
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	240 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.2 A
最大漏极电流 (ID)：	0.2 A	最大漏源导通电阻：	0.009 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.6 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	1 A
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ZVP4424G/TA 数据手册

SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE VERTICAL DMOS FET

ISSUE 2 - OCTOBER 1995

ZVP4424G

FEATURES

240 Volt V_DS

R_DS(on)= 8.8Ω typical at V_GS=-3.5V

Low threshold and Fast switching

APPLICATIONS

Electronic hook switches

Telecoms and Battery powered equipment

COMPLEMENTARY TYPE -

PARTMARKING DETAIL -

ZVN4424G

ZVP4424

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_DS

VALUE

-240

UNIT

Drain-Source Voltage

Continuous Drain Current at T_amb=25°C

Pulsed Drain Current

I_D

-480

I_DM

-1.0

Gate Source Voltage

V_GS

± 40

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

P_tot

2.5

°C

T_j:T_stg

-55 to +150

3 - 438

12 3

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与ZVP4424G/TA相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
ZVP4424GTA	ZETEX	Power Field-Effect Transistor, 0.48A I(D), 240V, 11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met	获取价格
ZVP4424GTC	DIODES	Power Field-Effect Transistor, 0.48A I(D), 240V, 11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met	获取价格
ZVP4424Z	DIODES	SOT89 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET	获取价格
ZVP4424Z	ZETEX	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET	获取价格
ZVP4424ZQTA	DIODES	暂无描述	获取价格
ZVP4424ZTA	DIODES	Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 240V, 0.009ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M	获取价格