ZVP4525E6

更新时间： 2024-11-19 07:42:43

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描述
250V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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ZVP4525E6 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.58
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (ID)：	0.197 A	最大漏源导通电阻：	14 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ZVP4525E6 数据手册

ZVP4525E6

250V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

SUMMARY

(

DESCRIPTION

This 250V enhancement mode P-channel MOSFET provides users with a

competitive specification offering efficient power handling capability, high

impedance and is free from thermal runaway and thermally induced

secondary breakdown. Applications benefiting from this device include a

variety of Telecom and general high voltage circuits.

SOT23-6

SOT89 and SOT223 versions are also available.

FEATURES

•

High voltage

Low on-resistance

Fast switching speed

Low gate drive

Low threshold

Complementary N-channel Type ZVN4525E6

SOT23-6 package

APPLICATIONS

•

Earth Recall and dialling switches

Electronic hook switches

High Voltage Power MOSFET Drivers

Telecom call routers

Top View

Solid state relays

ORDERING INFORMATION

DEVICE

REEL SIZE

(inches)

TAPE WIDTH (mm) QUANTITY

PER REEL

ZVP4525TA

ZVP4525TC

8mm embossed

3000 units

10000 units

DEVICE MARKING

•

P52

ISSUE 1 - MARCH 2001

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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