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ZVP4525

更新时间： 2024-06-27 12:13:40
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合科泰 - HOTTECH /
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6页 1120K
描述
SOT-223

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ZVP4525 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.1
Is Samacsys：N外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：250 V
最大漏极电流 (ID)：0.205 A最大漏源导通电阻：14 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-F3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

ZVP4525 数据手册

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ZVP4525  
P-CHANNEL HIGH VOLTAGE MOSFET  
FEATURES  
VDS=-250V,RDS(ON)≤14Ω@VGS=-10V,ID=-265mA  
High Voltage,Low Threshold and Fast Switching  
Low On-resistance and Low Gate Drive  
For Electronic Hook Switches,Earth Recall and Dialling Switches  
For Telecom Call Routers and High Voltage Power MOSFET Drivers  
Surface Mount device  
SOT-223  
MECHANICAL DATA  
Case: SOT-223  
Case Material: Molded Plastic. UL flammability  
Classification Rating: 94V-0  
Weight: 0.112 grams (approximate)  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted)  
Parameter  
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
Symbol  
VDS  
Value  
-250  
±40  
Unit  
V
V
VGS  
VGS=-10V, TA=25°C(1)  
VGS=-10V, TA=70°C(1)  
-265  
-212  
-1.0  
mA  
mA  
A
Continuous drain current  
ID  
IDM  
Pulsed drain current(3)  
Continuous Source Current (Body Diode)  
Pulsed Source Current (Body Diode)  
Power dissipation  
IS  
ISM  
PD  
-0.75  
-1  
2
A
A
W
Thermal Resistance, Junction to Ambient (1)  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (2)  
63  
26  
°C/W  
°C/W  
°C  
RθJA  
TJ,TSTG  
Operating and Storage temperature  
-55 ~+150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol Min Typ Max Unit  
Conditions  
VGS=0V, ID=-1mA  
V(BR)DSS  
Drain-Source breakdown voltage  
Zero gate voltage drain current  
Gate-body leakage current  
Gate-threshold voltage  
-250 -285  
V
IDSS  
IGSS  
VGS(th)  
-30  
-500  
±100  
-2.0  
14  
nA VDS=-250V,  
nA VDS=0V,  
VGS=±40V  
V
Ω
Ω
VGS=0V,  
±1  
-0.8 -1.5  
10  
VDS=VGS, ID=-1mA  
VGS=-10V, ID=-200mA  
VGS=-3.5V, ID=-100mA  
Drain-source on-resistance(4)  
RDS(ON)  
13  
18  
Forward Trans-conductance (6)  
Diode Forward Voltage (4)  
Input capacitance (6)  
Output capacitance(6)  
Reverse transfer capacitance(6)  
Total Gate Charge(5,6)  
Gate-Source Charge(5,6)  
Gate-Drain Charge(5,6)  
Turn-on delay time(5,6)  
Turn-on rise time(5,6)  
Turn-off delay time(5,6)  
Turn-off fall time(5,6)  
gfs  
VSD  
Ciss  
Coss  
Crss  
Qg  
80  
200  
mS VDS=-10V, ID=-150mA  
0.97  
V
IS=-200mA,VGS=0V, TJ=25°C  
73  
12.8  
3.91  
2.45 3.45  
0.22 0.31  
0.45 0.63  
1.53  
3.78  
17.5  
7.85  
205  
21  
pF  
pF  
pF  
nC  
nC  
nC  
nS  
nS  
nS  
nS  
nS  
nC  
VDS=-25V, VGS=0V, f=1MHz  
VDS=-25V,VGS=-10V,ID=-200mA  
Q
gs  
Qgd  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
VDD=-30V,ID=-200mA,VGS=-10V,  
RG=50Ω  
Reverse Recovery Time(6)  
Reverse Recovery Charge(6)  
trr  
Qrr  
290  
29  
IF=-200mA,di/dt=100A/μs,  
TJ = +25°C  
Notes: 1. For a device surface mounted on 25mm x 25mm FR4 PCB with high coverage of single sided 1oz copper, in still air conditions.  
2. For a device surface mounted on FR4 PCB measured at t ≤ 5 secs.  
3. Repetitive rating 25mm x 25mm FR4 PCB, D=0.02 pulse width=300μs - pulse width limited by maximum junction temperature.  
4. Measured under pulsed conditions. Pulse width = 300μs; duty cycle≤ 2%.  
5. Switching characteristics are independent of operating junction temperature.  
6. For design aid only, not subject to production testing.  
1 / 6  
©GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD  
E-mail:hkt@heketai.com  
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