ZVP4525G

更新时间： 2024-01-11 13:13:35

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美台 - DIODES		晶体晶体管开关光电二极管
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8页	320K
描述
250V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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ZVP4525G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-89
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.1	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	250 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.205 A
最大漏极电流 (ID)：	0.205 A	最大漏源导通电阻：	14 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ZVP4525G 数据手册

ZVP4525G

250V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

SUMMARY

(BR)DSS

=-250V; R

=14V; I =-265m A

DS(ON) D

DESCRIPTION

This 250V enhancem ent m ode P-channel MOSFET provides users with a

com petitive specification offering efficient power handling capability, high

im pedance and is free from therm al runaway and therm ally induced

secondary breakdown. Applications benefiting from this device include a

variety of telecom and general high voltage circuits.

SOT89 and SOT23-6 versions are also available.

FEATURES

• High voltage

SOT223

• Low on-resistance

• Fast switching speed

• Low gate drive

• Low threshold

• Com plem entary N-channel type ZVN4525G

• SOT223 package

APPLICATIONS

• Earth recall and dialling switches

• Electronic hook switches

• High voltage power MOSFET drivers

• Telecom call routers

• Solid state relays

ORDERING INFORMATION

DEVICE

REEL S IZE

TAPE WIDTH

QUANTITY

PER REEL

ZVP4525GTA

ZVP4525GTC

7”

8m m e m b o s s e d

1000 u n its

4000 u n its

13”

DEVICE MARKING

• ZVP4525G

TOP VIEW

ISSUE 4 - J UNE 2004

S E M IC O N D U C T O R S

12 3 4 5 6 7 8

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