ZVP4424Z

更新时间： 2024-02-17 03:47:21

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捷特科 - ZETEX		晶体小信号场效应晶体管开关
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4页	98K
描述
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

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ZVP4424Z 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	17 weeks	风险等级：	1.72
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	240 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.2 A
最大漏极电流 (ID)：	0.2 A	最大漏源导通电阻：	0.009 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2.6 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	1 A
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ZVP4424Z 数据手册

SOT89 P-CHANNEL ENHANCEMENT

ZVP4424Z

MODE VERTICAL DMOS FET

ISSUE 1 - NOVEMBER 1998

FEATURES

240 Volt V_DS

R_DS(on)= 8.8Ω typical at V_GS=-3.5V

Low threshold and Fast switching

APPLICATIONS

Electronic hook switches

Telecoms and Battery powered equipment

COMPLEMENTARY TYPE -

PARTMARKING DETAIL -

ZVN4424Z

24P

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_DS

VALUE

UNIT

Drain-Source Voltage

-240

-200

Continuous Drain Current at T_amb=25°C

Pulsed Drain Current

I_D

I_DM

-1.0

Gate Source Voltage

V_GS

± 40

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

P_tot

1†

T_j:T_stg

-55 to +150

°C

†

recommended P_totcalculated using FR4 measuring 15x15x0.6mm

Refer to the handling instructions for soldering surface mount components.

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