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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 17 weeks | 风险等级： | 1.72 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 240 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.2 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.2 A | 最大漏源导通电阻： | 0.009 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2.6 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 1 A |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ZVP4525 | ZETEX |
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250V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| ZVP4525 | HOTTECH |
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SOT-223 |
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| ZVP4525E6 | ZETEX |
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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| ZVP4525E6 | DIODES |
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250V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| ZVP4525E6(1) | ZETEX |
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| ZVP4525E6TA | DIODES |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.197A I(D), 250V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| ZVP4525E6TA | ZETEX |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.197A I(D), 250V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| ZVP4525E6TC | ZETEX |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.197A I(D), 250V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| ZVP4525E6TC | DIODES |
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250V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| ZVP4525G | DIODES |
获取价格 |
250V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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