是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | COMPATIBLE TO-92, 3 PIN |
Reach Compliance Code: | not_compliant | 风险等级: | 5.06 |
其他特性: | HIGH RELIABILITY | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 1.1 A |
最大漏极电流 (ID): | 1.1 A | 最大漏源导通电阻: | 0.33 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 30 pF |
JESD-30 代码: | O-PBCY-T3 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 1.13 W | 参考标准: | AEC-Q101 |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
ZVN4306AV | DIODES |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET | |
ZVN4306AV | ZETEX |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET | |
ZVN4306G | ZETEX |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET | |
ZVN4306G | DIODES |
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SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET | |
ZVN4306G(3) | ZETEX |
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ZVN4306GTA | ZETEX |
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Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 60V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
ZVN4306GTA | DIODES |
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Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 60V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
ZVN4306GTC | ZETEX |
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Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 60V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
ZVN4306GV | ZETEX |
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SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET | |
ZVN4306GV | DIODES |
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SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |